Repositório Institucional da UFPB
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https://repositorio.ufpb.br/jspui/handle/123456789/13983| Tipo: | Dissertação |
| Título: | Layout-Oriented Design of a 60 GHz Power Amplifier in SiGe Technology |
| Autor(es): | Sette, Elmo Luiz Fechine |
| Primeiro Orientador: | Souza , Antonio Augusto Lisboa de |
| Primeiro Coorientador: | Dupouy, Emmanuel Benoit Jean-Baptiste |
| Resumo: | Este trabalho apresenta o projeto de um amplificador de potência totalmente integrado de estágio único e com topologia cascode para a banda de 60 GHz. Foi utilizada no projeto a tecnologia da Global Foundries em SiGe de 0,13 µm (BiCMOS8HP). Uma análise loadpull do cascode foi feita incluindo otimização dos parâmetros de polarização e geometria visando encontrar o melhor desempenho possível desta topologia. Uma abordagem de projeto orientado a layout foi adotada para decidir entre diferentes combinações/arranjos de componentes passivos e interconexões, visando reduzir as perdas globais e, portanto, aumentar a eficiência energética do amplificador. Simulações pós-layout demonstram uma potência de saída saturada de 19,32 dBm, 27,8 % de PAE e um ganho de potência de 10,4 dB em 60 GHz. O amplificador consome 63 mA de uma fonte de alimentação de 4,4 V e ocupa uma área de aproximadamente 0,475 mm2. O circuito foi enviado para fabricação no final de 2017. Os resultados experimentais são apresentados ao final do texto. |
| Abstract: | This work presents the design of a fully integrated cascode single-stage power amplifier for 60 GHz band. The technology used in the design was Global Foundries SiGe of 0.13µm (BiCMOS8HP). A load-pull analysis of the cascode was done including optimization of the bias and geometry parameters aiming at finding the best performance of this topology. A layout-oriented design approach was adopted to decide upon different combinations/arrangements of passive components and interconnections, aiming at reducing the global losses and, thus, increasing the energy efficiency of the amplifier. Post-layout simulations show a saturated output power of 19.32 dBm, 27.8% of power added efficiency (PAE) and a power gain of 10.4 dB at 60 GHz. The amplifier consumes 63 mA from a 4.4 V power supply and occupies an area of approximately 0,475 mm2. The circuitwastaped-outinlate2017.Experimentalresultsarepresentedattheendofthetext. |
| Palavras-chave: | Amplificador de Potência Cascode Load-Pull Ondas milimétricas Orientado a layout SiGe 60 GHz Layout-oriented MillimeterWave PowerAmplifier Amplificador eletromecânico |
| CNPq: | CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA |
| Idioma: | por |
| País: | Brasil |
| Editor: | Universidade Federal da Paraíba |
| Sigla da Instituição: | UFPB |
| Departamento: | Engenharia Elétrica |
| Programa: | Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica |
| Tipo de Acesso: | Acesso aberto Attribution-NoDerivs 3.0 Brazil |
| URI: | http://creativecommons.org/licenses/by-nd/3.0/br/ |
| URI: | https://repositorio.ufpb.br/jspui/handle/123456789/13983 |
| Data do documento: | 31-Jul-2018 |
| Aparece nas coleções: | Centro de Energias Alternativas e Renováveis (CEAR) - Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica |
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